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Vishay Siliconix SIB912DK-T1-GE3

Name: SIB912DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIB912DK-T1-GE3
Price: 0.15884 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (606 reviews)

MFG-Teilenummer: SIB912DK-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 21750 Stücke

Referenzpreis: USD 0.15884

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIB912DK-T1-GE3.pdf

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SIB912DK-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIB912DK-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIB912DK-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SIB912DK-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	95pF @ 10V
Leistung max	3.1W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIB912DK-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIB912DK-T1-GE3-FT

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