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Vishay Siliconix SIE882DF-T1-GE3

Name: SIE882DF-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIE882DF-T1-GE3
Price: 0.96228 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (352 reviews)

MFG-Teilenummer: SIE882DF-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 29280 Stücke

Referenzpreis: USD 0.96228

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIE882DF-T1-GE3.pdf

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SIE882DF-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIE882DF-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIE882DF-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SIE882DF-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6400pF @ 12.5V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	10-PolarPAK® (L)
Paket / fall	10-PolarPAK® (L)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIE882DF-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIE882DF-T1-GE3-FT

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