Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SIF912EDZ-T1-E3
Herstellerteilenummer | SIF912EDZ-T1-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIF912EDZ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIF912EDZ-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.6W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® 2x5 |
Supplier Device Package | PowerPAK® (2x5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIF912EDZ-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIF912EDZ-T1-E3-FT |
GMM3X100-01X1-SMDSAM
IXYS
GMM3X120-0075X2-SMDSAM
IXYS
GMM3X160-0055X2-SMD
IXYS
GMM3X160-0055X2-SMDSAM
IXYS
GMM3X180-004X2-SMD
IXYS
GMM3X180-004X2-SMDSAM
IXYS
GMM3X60-015X2-SMD
IXYS
GMM3X60-015X2-SMDSAM
IXYS
GWM100-0085X1-SMD
IXYS
GWM100-0085X1-SMD SAM
IXYS
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel