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SIHA6N80E-GE3 Image

Vishay Siliconix SIHA6N80E-GE3

MFG-Teilenummer
SIHA6N80E-GE3
verfügbare Anzahl
36690 Stücke
Referenzpreis
USD 2.208
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
E MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SIHA6N80E-GE3.pdf
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SIHA6N80E-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIHA6N80E-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIHA6N80E-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie E
SIHA6N80E-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 940 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 827pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHA6N80E-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIHA6N80E-GE3-FT

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