Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHB28N60EF-GE3
Herstellerteilenummer | SIHB28N60EF-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIHB28N60EF-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIHB28N60EF-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2714pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB28N60EF-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHB28N60EF-GE3-FT |
IRL7833SPBF
Infineon Technologies
IRL7833STRRPBF
Infineon Technologies
IRL8113S
Infineon Technologies
IRL8113SPBF
Infineon Technologies
IRL8113STRL
Infineon Technologies
IRL8113STRLPBF
Infineon Technologies
IRL8113STRR
Infineon Technologies
IRL8113STRRPBF
Infineon Technologies
IRLS3034PBF
Infineon Technologies
IRLS3036PBF
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel