Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHB33N60E-GE3
Herstellerteilenummer | SIHB33N60E-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIHB33N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIHB33N60E-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 33A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3508pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB33N60E-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHB33N60E-GE3-FT |
IRFBC40AS
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRR
Vishay Siliconix
IRFBC40LCS
Vishay Siliconix
IRFBC40LCSTRL
Vishay Siliconix
IRFBC40LCSTRR
Vishay Siliconix
IRFBC40S
Vishay Siliconix
IRFBC40STRL
Vishay Siliconix
IRFBC40STRR
Vishay Siliconix
IRFBE20S
Vishay Siliconix
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel