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Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3

Name: SIHD12N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD12N50E-GE3
Price: 1.584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (796 reviews)

MFG-Teilenummer: SIHD12N50E-GE3

verfügbare Anzahl: 25810 Stücke

Referenzpreis: USD 1.584

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: E MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIHD12N50E-GE3.pdf

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SIHD12N50E-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIHD12N50E-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIHD12N50E-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	E
SIHD12N50E-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	550V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	886pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	114W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHD12N50E-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIHD12N50E-GE3-FT

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