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Herstellerteilenummer | SIHD180N60E-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIHD180N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | E |
SIHD180N60E-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 156W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHD180N60E-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHD180N60E-GE3-FT |
IRFR024TR
Vishay Siliconix
IRFR024TRL
Vishay Siliconix
IRFR024TRR
Vishay Siliconix
IRFR110
Vishay Siliconix
IRFR110TR
Vishay Siliconix
IRFR110TRL
Vishay Siliconix
IRFR110TRR
Vishay Siliconix
IRFR110TRRPBF
Vishay Siliconix
IRFR11N25D
Vishay Siliconix
IRFR120
Vishay Siliconix
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation