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SIHD3N50D-E3 Image

Vishay Siliconix SIHD3N50D-E3

MFG-Teilenummer
SIHD3N50D-E3
verfügbare Anzahl
93250 Stücke
Referenzpreis
USD 0.848
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SIHD3N50D-E3.pdf
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SIHD3N50D-E3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIHD3N50D-E3
Zukünftige Teilenummer FT-SIHD3N50D-E3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
SIHD3N50D-E3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHD3N50D-E3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIHD3N50D-E3-FT

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