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Herstellerteilenummer | SIHF35N60EF-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIHF35N60EF-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | EF |
SIHF35N60EF-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 32A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 39W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHF35N60EF-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHF35N60EF-GE3-FT |
IRFR120TR
Vishay Siliconix
IRFR120TRL
Vishay Siliconix
IRFR120TRR
Vishay Siliconix
IRFR1N60A
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IRFR1N60ATR
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IRFR1N60ATRL
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IRFR1N60ATRR
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IRFR1N60ATRRPBF
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IRFR210
Vishay Siliconix
IRFR210TR
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel