Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHG16N50C-E3
Herstellerteilenummer | SIHG16N50C-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIHG16N50C-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIHG16N50C-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG16N50C-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHG16N50C-E3-FT |
SQD15N06-42L_GE3
Vishay Siliconix
SQD25N06-22L_GE3
Vishay Siliconix
SQD35N05-26L-GE3
Vishay Siliconix
SQD50N04-09H-GE3
Vishay Siliconix
SQD50N06-09L_GE3
Vishay Siliconix
SQD50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix
SQD50P06-15L_GE3
Vishay Siliconix
SUD06N10-225L-E3
Vishay Siliconix
SUD06N10-225L-GE3
Vishay Siliconix
SUD08P06-155L-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.