Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHG40N60E-GE3
Herstellerteilenummer | SIHG40N60E-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIHG40N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | E |
SIHG40N60E-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4436pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 329W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG40N60E-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHG40N60E-GE3-FT |
SUD23N06-31-GE3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31-T4-GE3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD25N04-25-E3
Vishay Siliconix
SUD25N04-25-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD35N05-26L-E3
Vishay Siliconix
SUD40N02-08-E3
Vishay Siliconix
SUD40N02-3M3P-E3
Vishay Siliconix
SUD40N04-10A-E3
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel