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Herstellerteilenummer | SIHG61N65EF-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIHG61N65EF-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | E |
SIHG61N65EF-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 64A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 30.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 371nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7407pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG61N65EF-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHG61N65EF-GE3-FT |
SUD19N20-90-E3
Vishay Siliconix
SUD19N20-90-T4-E3
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SUD23N06-31-GE3
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SUD25N04-25-T4-E3
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SUD40N02-08-E3
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XC3S5000-4FGG676I
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MPF300T-1FCG1152E
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