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Vishay Siliconix SIHH120N60E-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SIHH120N60E-T1-GE3
verfügbare Anzahl
73420 Stücke
Referenzpreis
USD 2.563176
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Versanddatum
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Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
E MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SIHH120N60E-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIHH120N60E-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIHH120N60E-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie E
SIHH120N60E-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHH120N60E-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIHH120N60E-T1-GE3-FT

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