Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHH21N60EF-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SIHH21N60EF-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIHH21N60EF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIHH21N60EF-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2035pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 174W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHH21N60EF-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHH21N60EF-T1-GE3-FT |
SI3456BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3456CDV-T1-GE3
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SI3457BDV-T1-E3
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SI3457BDV-T1-GE3
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SI3457CDV-T1-E3
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SI3457CDV-T1-GE3
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SI3458DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3459DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel