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Vishay Siliconix SIHP11N80E-GE3

Name: SIHP11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP11N80E-GE3
Price: 3.128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (781 reviews)

MFG-Teilenummer: SIHP11N80E-GE3

verfügbare Anzahl: 47490 Stücke

Referenzpreis: USD 3.128

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: E MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIHP11N80E-GE3.pdf

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SIHP11N80E-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIHP11N80E-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIHP11N80E-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	E
SIHP11N80E-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHP11N80E-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIHP11N80E-GE3-FT

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