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Herstellerteilenummer | SIL2623-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIL2623-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIL2623-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Leistung max | 350mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 |
Supplier Device Package | SOT-23-6L |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIL2623-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIL2623-TP-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel