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Vishay Siliconix SIR606BDP-T1-RE3

MFG-Teilenummer
SIR606BDP-T1-RE3
verfügbare Anzahl
30320 Stücke
Referenzpreis
USD 0.55104
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SIR606BDP-T1-RE3.pdf
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SIR606BDP-T1-RE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIR606BDP-T1-RE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIR606BDP-T1-RE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET® Gen IV
SIR606BDP-T1-RE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Paket / fall PowerPAK® SO-8
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR606BDP-T1-RE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIR606BDP-T1-RE3-FT

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