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Herstellerteilenummer | SIR616DP-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIR616DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ThunderFET® |
SIR616DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 7.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR616DP-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIR616DP-T1-GE3-FT |
IRF9Z24
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EP1C6T144C6
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A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
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5AGXMA1D4F31I3N
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