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Vishay Siliconix SIR616DP-T1-GE3
- MFG-Teilenummer
- SIR616DP-T1-GE3
- verfügbare Anzahl
- 41110 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.527296
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- ThunderFET® MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SIR616DP-T1-GE3.pdf
SIR616DP-T1-GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SIR616DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SIR616DP-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | ThunderFET® |
| SIR616DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 7.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 52W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIR616DP-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SIR616DP-T1-GE3-FT |
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