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Herstellerteilenummer | SIR662DP-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIR662DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIR662DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4365pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR662DP-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIR662DP-T1-GE3-FT |
SI7601DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7620DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7621DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7623DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7703EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7718DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7720DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7726DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel