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Herstellerteilenummer | SIR808DP-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIR808DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIR808DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 815pF @ 12.5V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 29.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR808DP-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIR808DP-T1-GE3-FT |
SI7456CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456DDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7457DP-T1-E3
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SI7457DP-T1-GE3
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SI7459DP-T1-E3
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SI7459DP-T1-GE3
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SI7462DP-T1-GE3
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SI7463ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7464DP-T1-E3
Vishay Siliconix
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel