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Vishay Siliconix SIR878BDP-T1-RE3

Name: SIR878BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR878BDP-T1-RE3
Price: 0.64288 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (665 reviews)

MFG-Teilenummer: SIR878BDP-T1-RE3

verfügbare Anzahl: 38160 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIR878BDP-T1-RE3.pdf

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SIR878BDP-T1-RE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIR878BDP-T1-RE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIR878BDP-T1-RE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SIR878BDP-T1-RE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 42.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Paket / fall	PowerPAK® SO-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR878BDP-T1-RE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIR878BDP-T1-RE3-FT

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