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Herstellerteilenummer | SIS435DNT-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIS435DNT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIS435DNT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS435DNT-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIS435DNT-T1-GE3-FT |
IRFU9110PBF
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A54SX32A-1TQG144
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XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
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LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel