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Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3

Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3
Price: 0.371952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (294 reviews)

MFG-Teilenummer: SIS903DN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 68700 Stücke

Referenzpreis: USD 0.371952

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen III MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIS903DN-T1-GE3.pdf

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SIS903DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIS903DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIS903DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen III
SIS903DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V
Leistung max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8 Dual
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS903DN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIS903DN-T1-GE3-FT

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