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Herstellerteilenummer | SISC06DN-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SISC06DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
SISC06DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 27.6A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2455pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISC06DN-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SISC06DN-T1-GE3-FT |
IRFU9210PBF
Vishay Siliconix
IRFU110PBF
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Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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