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SISC06DN-T1-GE3 Image

Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SISC06DN-T1-GE3
verfügbare Anzahl
74890 Stücke
Referenzpreis
USD 0.35424
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 30V
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SISC06DN-T1-GE3.pdf
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SISC06DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SISC06DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SISC06DN-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET® Gen IV
SISC06DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 27.6A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2455pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Paket / fall PowerPAK® 1212-8
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISC06DN-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SISC06DN-T1-GE3-FT

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