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Herstellerteilenummer | SISH101DN-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SISH101DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SISH101DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16.9A (Ta), 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3595pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8SH |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISH101DN-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SISH101DN-T1-GE3-FT |
SI3445ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3445DV-T1-E3
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SI3445DV-T1-GE3
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SI3446ADV-T1-E3
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SI3447BDV-T1-E3
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SI3451DV-T1-E3
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XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel