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Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3

Name: SISS02DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS02DN-T1-GE3
Price: 0.575704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (242 reviews)

MFG-Teilenummer: SISS02DN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 59200 Stücke

Referenzpreis: USD 0.575704

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SISS02DN-T1-GE3.pdf

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SISS02DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SISS02DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SISS02DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SISS02DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	51A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 10V
Vgs (Max)	+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4450pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8S
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISS02DN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SISS02DN-T1-GE3-FT

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