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Herstellerteilenummer | SIUD412ED-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIUD412ED-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIUD412ED-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 500mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.71nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 6V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 0806 |
Paket / fall | PowerPAK® 0806 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIUD412ED-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIUD412ED-T1-GE3-FT |
IRL630
Vishay Siliconix
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel