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Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3

Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3
Price: 0.389664 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (709 reviews)

MFG-Teilenummer: SIZ200DT-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 11380 Stücke

Referenzpreis: USD 0.389664

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH DUAL 30V

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIZ200DT-T1-GE3.pdf

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SIZ200DT-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIZ200DT-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIZ200DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SIZ200DT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Leistung max	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerWDFN
Supplier Device Package	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ200DT-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIZ200DT-T1-GE3-FT

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