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Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3
- MFG-Teilenummer
- SIZF906DT-T1-GE3
- verfügbare Anzahl
- 93390 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.593824
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- TrenchFET® Gen IV MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SIZF906DT-T1-GE3.pdf
SIZF906DT-T1-GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SIZF906DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SIZF906DT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| SIZF906DT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Leistung max | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 8-PowerPair® (6x5) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIZF906DT-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SIZF906DT-T1-GE3-FT |
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