Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SL12-M3/5AT
Herstellerteilenummer | SL12-M3/5AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SL12-M3/5AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SL12-M3/5AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 445mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SL12-M3/5AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SL12-M3/5AT-FT |
ES1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1C-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1C-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel