Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM6S10A-E3/2D
Herstellerteilenummer | SM6S10A-E3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM6S10A-E3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PAR® |
SM6S10A-E3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 11.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 17V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 271A |
Leistung - Spitzenimpuls | 4600W (4.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S10A-E3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM6S10A-E3/2D-FT |
TPSMP9.1HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMP9.1HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMP9.1HM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMP9.1HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SGXMA9K1H40I2N
Intel
5SGXEA3K3F35C4N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SB484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C3N
Intel