Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM6S10HE3/2D
Herstellerteilenummer | SM6S10HE3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM6S10HE3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S10HE3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 11.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 18.8V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 245A |
Leistung - Spitzenimpuls | 4600W (4.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S10HE3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM6S10HE3/2D-FT |
TPSMP9.1HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S100E-6TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC6SLX75-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEB5R2F40I3LN
Intel
10AX032H2F35I2SG
Intel
XC3090L-8PC84C
Xilinx Inc.
5AGXBA5D4F35I5N
Intel