Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM6S11HE3/2D
Herstellerteilenummer | SM6S11HE3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM6S11HE3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S11HE3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 11V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 12.2V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 20.1V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 229A |
Leistung - Spitzenimpuls | 4600W (4.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S11HE3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM6S11HE3/2D-FT |
SM5A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel