Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM6S12A-E3/2D
Herstellerteilenummer | SM6S12A-E3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM6S12A-E3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PAR® |
SM6S12A-E3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 13.3V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 19.9V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 231A |
Leistung - Spitzenimpuls | 4600W (4.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S12A-E3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM6S12A-E3/2D-FT |
SM8A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC484-1X
Intel
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84
Microsemi Corporation
A42MX24-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3LG
Intel
EP3C55F780C7
Intel
EP4CE75F29I7
Intel