Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM6S18AHE3/2D
Herstellerteilenummer | SM6S18AHE3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM6S18AHE3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S18AHE3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 18V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 20V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 29.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 158A |
Leistung - Spitzenimpuls | 4600W (4.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S18AHE3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM6S18AHE3/2D-FT |
SM5S13HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S15A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S15AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation