Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S10A-E3/2D
Herstellerteilenummer | SM8S10A-E3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S10A-E3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PAR® |
SM8S10A-E3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 11.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 17V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 388A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S10A-E3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S10A-E3/2D-FT |
SM5S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel