Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S12AHE3_A/I
Herstellerteilenummer | SM8S12AHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S12AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S12AHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 13.3V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 19.9V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 332A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S12AHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S12AHE3_A/I-FT |
SM5S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel