Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S16AHE3/2D
Herstellerteilenummer | SM8S16AHE3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S16AHE3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S16AHE3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 16V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 17.8V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 26V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 254A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S16AHE3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S16AHE3/2D-FT |
SM6S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S13AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S13HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S14A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S14AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S14AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S14HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23C8
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
XC7K160T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP20K200CB652C8
Intel