Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S18AHE3/2D
Herstellerteilenummer | SM8S18AHE3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S18AHE3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S18AHE3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 18V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 20V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 29.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 226A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S18AHE3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S18AHE3/2D-FT |
SM6S15-6003HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel