Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S20A-E3/2D
Herstellerteilenummer | SM8S20A-E3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S20A-E3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PAR® |
SM8S20A-E3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 20V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 22.2V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 32.4V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 204A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S20A-E3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S20A-E3/2D-FT |
SM6S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV100-5FG256I
Xilinx Inc.
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
5SGXMA3K3F40I4N
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation