Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S26-E3/2D
Herstellerteilenummer | SM8S26-E3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S26-E3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PAR® |
SM8S26-E3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 28.9V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 46.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 142A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26-E3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S26-E3/2D-FT |
SM6S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C120F484C7N
Intel
EP4SE530F43C4ES
Intel
XC6SLX25-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324I7G
Intel
10M16DAU324I7G
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel