Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S26AHE3/2E
Herstellerteilenummer | SM8S26AHE3/2E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S26AHE3/2E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S26AHE3/2E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 28.9V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 42.1V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 157A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26AHE3/2E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S26AHE3/2E-FT |
SM6S22HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TI144-4N
Intel
M2GL050-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SGES
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel