Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S26AHE3_A/I
Herstellerteilenummer | SM8S26AHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S26AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S26AHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 28.9V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 42.1V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 157A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26AHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S26AHE3_A/I-FT |
SM6S24A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGLE3000V5-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2L
Intel
5SGXMB6R3F40C4N
Intel
10AX048E3F29E2SG
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-5MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H3F34E2SG
Intel