Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S26HE3/2E
Herstellerteilenummer | SM8S26HE3/2E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S26HE3/2E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S26HE3/2E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 28.9V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 46.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 142A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26HE3/2E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S26HE3/2E-FT |
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQG80A
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484C6
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
XC5VLX30-2FF324I
Xilinx Inc.
XC2VP40-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation