Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S28AHE3/2E
Herstellerteilenummer | SM8S28AHE3/2E |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S28AHE3/2E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S28AHE3/2E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 28V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 31.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 45.4V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 145A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S28AHE3/2E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S28AHE3/2E-FT |
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3042-125PQ100C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FFGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EBI652-2X
Intel