Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SMBJ3V3HE3/5B
Herstellerteilenummer | SMBJ3V3HE3/5B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SMBJ3V3HE3/5B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMBJ3V3HE3/5B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 3.3V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 4.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 10.3V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 200A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | 5200pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMBJ) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMBJ3V3HE3/5B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMBJ3V3HE3/5B-FT |
P6SMB11AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB120AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB120AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB12AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB12AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB130AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB130AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB150AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB150AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
P6SMB15AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel