Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SMBJ8.0AHE3/5B
Herstellerteilenummer | SMBJ8.0AHE3/5B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SMBJ8.0AHE3/5B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMBJ8.0AHE3/5B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 8V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 8.89V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 13.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 44.1A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMBJ) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMBJ8.0AHE3/5B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMBJ8.0AHE3/5B-FT |
SM6T12AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T12AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T150AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T150AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T15AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T15AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T18AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T18AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T200AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T200AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel