Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / SMUN5313DW1T1G
Herstellerteilenummer | SMUN5313DW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SMUN5313DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SMUN5313DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 187mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5313DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMUN5313DW1T1G-FT |
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
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NSBC123JDXV6T1
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NSBC123JDXV6T5
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NSBC123JPDXV6T1
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NSBC124EDXV6T1
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NSBC124XPDXV6T1G
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NSBC124XPDXV6T5G
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XC3S200-4VQ100I
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EPF10K130EFC672-1
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5SGXEB6R3F40C2LN
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10AX027H4F34I3SG
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5CGXFC9A6U19I7
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XC7K160T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-3CPG196C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-35E-6FN484C
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EP1S30B956C7
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