Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / SNSS35200MR6T1G
Herstellerteilenummer | SNSS35200MR6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SNSS35200MR6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SNSS35200MR6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 35V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SNSS35200MR6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SNSS35200MR6T1G-FT |
MJD210
ON Semiconductor
MJD210RL
ON Semiconductor
MJD243
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MJD243T4
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MJD253T4
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MJD2955
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MJD3055
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MJD3055G
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MJD31CRL
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MJD32CRL
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5CGXFC5C6F27C7N
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EP4CE10E22I8L
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XC2VP50-5FFG1148C
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XC4VLX160-11FFG1148C
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XC7K420T-L2FFG901E
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EP1K10QC208-2
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